Real-time 3D analystical FIB-SEM NX9000
Product Description
Sistem FIB-SEM yang baru dikembangkan dari Hitachi, NX9000, mengintegrasikan tata letak yang dioptimalkan untuk serial sectioning beresolusi tinggi sejati guna menjawab kebutuhan terbaru dalam analisis struktur 3D serta analisis TEM dan 3DAP. Sistem FIB-SEM NX9000 memungkinkan presisi tertinggi dalam pemrosesan material untuk berbagai bidang yang berkaitan dengan material canggih, perangkat elektronik, jaringan biologis, dan beragam aplikasi lainnya.
Specification
| SEM | |
|---|---|
| Electron Source | Cold cathode field emission source |
| Accelerating Voltage | 0.1 - 30 kV |
| Resolution | 2.1 nm@ 1 kV 1.6 nm@ 15 kV |
| FIB | |
| Ion Source | Ga liquid metal ion source |
| Accelerating voltage | 0.5 - 30 kV |
| Resolution | 4.0 nm@30 kV |
| Max probe current | 100 nA |
| General Characteristic | |
| Standard detector | In-column SED/In-column BSED/Chamber SED |
| Stage | X : 0 - 20 mm *2 Y : 0 - 20 mm *2 Z : 0 - 20 mm *2 θ : 0 - 360° *2 τ : -25 - 45° *2 |
| Maximum sample size | 6 mm x 6 mm, 2 mm thick |
Resources
| Real-time 3D analytical FIB-SEM NX9000.pdf |
|---|
